| GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。 2019年、IEEEより、HEMTは世界中の人々を映像で楽しませる手段として大きな役割を果たしていることが高く評価され、IEEEマイルストーンに認定された。 ここでは、GaAsとAlGa… 10キロバイト (1,554 語) - 2021年8月8日 (日) 04:58 |
宇宙企業CisLunar IndustriesとAtomos Spaceが、次世代の宇宙輸送技術を強化するために提携しました。CisLunarは、Atomosの次世代軌道移送車（OTV）「Quark」に向け、従来よりもコンパクトで効率的な電力処理装置（PPU）を提供します。このPPUは、GaNトランジスタ技術を使用し、従来のPPUと比べて小型かつ高効率で発熱も少なく、Quarkの性能を最大限に引き出します。これにより、Quarkは衛星のドッキングや移動を効率的に行い、商業運用は2026年に開始予定です。AtomosのCEO、ヴァネッサ・クラーク氏も、CisLunarの技術が軌道ロジスティクスの進展に大きく貢献すると評価しています。
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（出典 @RainyDayCircus）
パンコパ のぞみたい
@RainyDayCircusと言ったところで、アホみたいにデカい電源アダプタが、、、なんてしないでGaNトランジスタで小さくせえよ。 x.com/theapplehub/st…
（出典 @iGamerai）
iGamerai
@iGameraiこれは三相点滅回路で三相ブラシレスモーターの基本形がこれとされる。この場合も三つ並んだ三本足トランジスタがSiトランジスタだけど、GaNトランジスタにすると4倍まで行けるとされる。 Siは50V限界論 GaN(1986年)は200V以上が限界論 プリウス登場は1996年 pic.x.com/bgkhazguhw
（出典 @iGamerai）
@iGamerai1986年までは点滅回路はSiトランジスタで50V限界論 1986年に名古屋大学でGaNトランジスタが発明されると一気に限界論が200V以上に 1996年プリウス登場で採用された電池は200V pic.x.com/iqm5mjuq1h
（出典 @iGamerai）
@iGamerai「2024年4月現在で発売されているプリウスHEVの駆動用バッテリーは、定格電圧3.7Vの小型・軽量のリチウムイオン電池56～60セルを直列に接続した207.2～222Vのリチウムイオン電池を利用」 ー Siトランジスタは50V限界論 GaNトランジスタは200V以上の限界論 GaNトランジスタは1986年に名古屋大学で発明
（出典 @iGamerai）
@iGameraiこれはSiトランジスタ三本足の点滅回路だけど Siトランジスタだと50V点滅回路が限界論 1986年に名古屋大学で発明されたGaNトランジスタ三本足ならば200V点滅回路まで行ける pic.x.com/xe8mqd5pus
（出典 @craftpage）
craftpage
@craftpageUSB充電器が話題になってるのと、GaNトランジスタについて興味あるから観た！！ 中国がGaNトランジスタを民生品に先駆けて使っちゃう時代だよ… 新技術 窒化ガリウム(GaN) USB充電器について解説します。Anker PowerPort Atom III slim. | Why Ga... youtu.be/sOAAeM2b5-o
（出典 @piechart_jpn）
piechart.jp
@piechart_jpn返信先:@207223_0 みんなGaNトランジスタをギャンギャン騒ぐもんだからFETとして革新的な構造になってるのかと思い込んでたけれど、なるほどGaN基材のFETも基本構造はSi-MOSFETと変わらないんですね。 SiCなら言わずもがなだけど、単体Siだと用途範囲が広過ぎるって事ですか。
（出典 @AmagiB747）
Amagi 🛠 あまぎ 🎀🌟
@AmagiB747いや、GaNトランジスタの65wの方が全然小さいやん
（出典 @iGamerai）
@iGameraiSiトランジスタ(1952年？) 50V限界論 GaNトランジスタ(1986年) 200V限界論 SiCトランジスタ(1996年) 1200V限界論 特殊な真空管(戦前) 500V限界論 三本足トランジスタが双子になってれば点滅回路からパルス交流は作れる。 pic.x.com/j8fft9hp2y
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